刘伟景

研究方向：

集成电路与器件物理层设计：硅基新型器件(GAAFET/TFET)等器件设计、关键工艺模拟设计、单元电路设计；集成电路核心器件直流、射频、统计、RC等模型构建及所需测试结构及测试电路设计；集成电路器件可靠性、GaN\SiC\GaO器件及系统研发；先进微纳结构光电信息器件及系统研发。